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IRFR1018ETRPBF  与  IPD088N06N3 G  区别

型号 IRFR1018ETRPBF IPD088N06N3 G
唯样编号 A-IRFR1018ETRPBF A-IPD088N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V 8.8mΩ
上升时间 - 40ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 79A 50A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 71W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1018ETRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD088N06N3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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IPD088N06N3GBTMA1_6.5mm

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IPD079N06L3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD079N06L3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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